根据中国博士后科学基金会公布的评审结果,中科院新疆理化所吴荣开展的“ⅡA族和ⅣA族元素掺杂及缺陷诱导AlN稀磁半导体的研究”项目获第四批博士后科学基金特别资助。
该项目拟采用非磁性元素掺杂和制造缺陷形成AlN基稀磁半导体,经过系统性的实验制备和理论分析,总结AlN基稀磁材料的制备机理和动力学过程。将“非磁性元素和缺陷诱导AlN基稀磁半导体”这一观点与当前国际研究前沿紧密结合,系统研究稀磁半导体磁性的来源将对稀磁半导体的学术研究及其产业化具有重要的意义。
吴荣于2009年在复旦大学博士毕业后,即进入新疆理化所从事关于纳米氧化物薄膜和纳米阵列方面博士后研究工作。她还曾获得第47批博士后科学基金面上资助。