6月15日至17日，美国范德堡大学电子与计算机系主任、国际电子与电气工程师学会（IEEE）核与等离子体分会辐射效应委员会主席Daniel M. Fleetwood教授和美国范德堡大学空间与防务电子研究所所长Ronald Schrimpf教授来中科院新疆理化技术研究所进行学术访问与交流。

访问期间，Daniel M. Fleetwood教授和Ronald Schrimpf教授分别作了题为Hardness assurance testing of MOS and linear bipolar devices and ICs和Ultinate CMOS scaling and associated radiation reliability problems的学术报告，并就辐射物理领域前沿科学技术问题与新疆理化所相关科研人员进行了交流与讨论。报告会后，Daniel M. Fleetwood教授一行还参观了该所固体辐射物理实验室、电子加速器等实验室。固体辐射物理实验室余学峰研究员陪同参观，并向其介绍了实验室科研设备、该研究室科研方向和主要取得的科研成果。

6月17日， Daniel M. Fleetwood教授和Ronald Schrimpf教授还将各自近期编写的专著赠送于该所固体辐射物理实验室，双方就建立科研和人才培养的长期合作机制达成了共识。两位教授被新疆理化所聘为名誉教授。

Fleetwood教授作报告

李晓所长为两位教授颁发聘书

两位教授赠予专著