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新型半导体材料和器件辐射损伤机理基础问题研讨会在乌鲁木齐召开
2017-08-04 | 作者: | 【 】【打印】【关闭

  82日,由中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微电子研究所和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所共同举办的国家自然科学基金重点项目进展报告会暨“新型半导体材料和器件辐射损伤机理基础问题”研讨会在乌鲁木齐市召开。新疆理化所副所长潘世烈出席会议并在开幕式上致辞。 

  会上,新疆理化所研究员艾尔肯和中科院微电子所研究员毕津顺分别针对各自团队承担的国家自然科学基金重点项目“空间用高效四结太阳电池器件及辐射加固方法研究”和先进非易失存储器辐射效应和加固技术进展情况进行了介绍,通过与参会专家的讨论、交流,推动项目的顺利进行。 

  此次会议还邀请湘潭大学校长周益春、中国空间技术研究院研究员于庆奎、哈尔滨工业大学教授吴宜勇,博达微科技有限公司总经理李严峰等科研院所和企业的专家作了大会报告。会议期间,各位专家围绕新型半导体材料和器件辐射损伤机理基础问题展开了学术研讨,对探索提升半导体器件可靠性的方法进行了交流。 

  会后,与会专家参观了新疆理化所固体辐射物理实验室,实地查看了实验室现有辐照装置、测试设备以及测试环境,对该实验室完备的平台建设给予了充分肯定,进一步促进相关研究单位与新疆理化所在半导体器件研究方面开展合作。 

项目进展介绍

湘潭大学校长周益春作报告

参观固体辐射物理实验室

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