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姓 名: 史宏声
性 别:
职 务:
职 称: 研究员(自然科学)
通讯地址: 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码: 830011
电子邮件: shihs@ms.xjb.ac.cn

简历:

1992.09-1996.07 西南师范大学化学化工学院 化学教育 理学学士

1996.12-1997.07 河南省洛阳市孟津县平乐高级中学 化学教师

1997.09-2000.07 中科院福建物质结构研究所 凝聚态物理 理学硕士

2000.09-2004.01 中科院上海硅酸盐研究所 材料物理与化学 工学博士

2004.03-2007.03 通用电气(GE)中国研究开发中心有限公司 高级科研员

2007.05-2008.11 中国计量学院材料科学与工程学院讲师

2008.11-2013.11 中国计量学院材料科学与工程学院 副教授

2013.01-2013.06 加州理工学院 访问学者

2013.12-2019.10 中国计量大学材料科学与工程学院 教授

2019.11-至今 中科院新疆理化所 材料物理化学研究室 研究员 

主要研究领域及成就:

  擅长块体单晶生长以及光电功能晶体研究,先后获得达到实用级别的LaBr3:Ce、SrI2:Eu、LaCl3:Pr、NaBi(WO4)2等大尺寸光电功能晶体,发表了多篇论文,其中LaBr3:Ce等晶体研究富有特色。

主要荣誉:

1、2013年获江西省科技进步奖二等奖 奖项名称:40UH-F/40SH-F风力发电机专用磁钢 排名第6

2、2013年获赣州市科技进步奖一等奖奖 项名称:系列风力发电机专用磁钢 排名第6

3、2009年获浙江省科技进步奖二等奖 奖项名称:高工作温度钕铁硼磁体的研制及产业化 排名第8

代表性文章:

[1] Hongsheng Shi, Dingzhong Shen, Guohao Ren, Haibing Zhang, Bo Gong, Qun Deng, Growth of NaBi(WO4)2 crystal by modified-Bridgman method, Journal of Crystal Growth,2002, 240:459-462.

[2] Hongsheng Shi,* Laishun Qin, Wenxiang Chai, Kangying Shu, The radiation induced colour centers in the NaBi(WO4)2 crystal, Journal of Alloys and Compounds, 2009, 475:510-512.

[3] Qinhua Wei, Hongsheng Shi,* Xiaofeng Chen, Laishun Qin, Guohao Ren, Kangying Shu, Growth and scintillation properties of the Na2W2O7 crystal, Journal of Crystal Growth,2010, 312: 1883-1885.

[4] Hongsheng Shi,* Laishun Qin, Wenxiang Chai, Jiayu Guo, Qinhua Wei, Guohao Ren, Kangying Shu, The LaBr3:Ce Crystal Growth by Self-Seeding Bridgman Technique and Its Scintillation Properties, Crystal Growth & Design, 2010,10: 4433-4436.

[5] Wei Qinhua, Shi Hongsheng*, Chai Wenxiang, Qin Laishun, Shu Kangying, Preparation and luminescence Properties of the Na2W2O7 Crystal, Chinese Physics Letter, 2011, vol28 No11: 118104.

[6] Hongsheng Shi,* Wenxiang Chai, xiaofeng Chen, Laishun Qin, Kangying Shu, Growth and scintillation properties of the Eu2W3O12 crystal, Journal of Crystal Growth,2012, 343:73-76.

[7] Zhengguo Li, Hanbo Bao, Yanguo Ding, Hongsheng Shi,* Laishun Qin, Kangyin Shu, The radiation induced color centers of the LaBr3:Ce crystal, Radiation Measurements, 2014, vol65:14-17.

[8] Qinhua Wei, Hongsheng Shi,* Zhenzhen Zhou, Guanghui Liu, Zhi Chen, Laishun Qin, Kangying Shu and Qian Liu, A study on the structure, luminescence and thermo-stability of polycrystalline Gd2Si2O7:Ce and (Gd,La)2Si2O7:Ce, Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5:1443 – 1451

[9] Qinhua Wei, Yiqing Liu, Yi Tao Miao, Yuxi Li, Hongsheng Shi,* Laishun Qin, E?ects of Lanthanum substitution on the luminescence properties and energy transfer mechanism of Gd9.33(SiO4)6O2:Ce polycrystalline, Journal of Luminescence, 2018, 194:610-616.

[10] Qinhua Wei, Jia Lin, Hongsheng Shi,* Gao Tang, Wenxiang Chai, Laishun Qin, Enhanced Transparency of Rough Surface Sapphire by Surface Vitrifaction Process, Applied Materials & Interfaces, 2018, 10:7693-7696.

代表性专利:

1. 史宏声,舒康颖,秦来顺,宣守虎. 一种高纯无水溴化物的制备方法:中国, 专利号:ZL 2010 1 0239945.0. 授权公告日期:2013-11-20

2. 史宏声,舒康颖,秦来顺,沈杭燕,柴文祥,郭驾宇,黄岳祥. 一种掺铈氯溴化镧闪烁晶体的制备方法:中国,专利号:ZL 20111 0177572.3. 授权公告日期:2015-05-13

研究领域:

块体单晶制备及光电功能晶体研究

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