获奖

抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究 

单位代码: 1A1365
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成果介绍:
主要完成人: 张国强、王国彬、严荣良、任迪远、余学峰、高剑侠、罗来会、陆妩、范隆、高文钰、郭旗、魏锡智
获奖类别: 省部科学技术进步奖
获奖等级: 二等奖
授奖部门: 新疆维吾尔自治区人民政府
获奖时间: 1997-1-1
开始日期:
结束日期:
完成单位: 中国科学院新疆理化技术研究所、新疆电力实实验研究所