副研究员
姓 名: 范艳伟
性 别:
职 务:
职 称: 副研究员(自然科学)
通讯地址: 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码: 830011
电子邮件:

简历:

     范艳伟,男,1980年生,副研究员。2005年新疆大学物理系理论物理专业毕业,获理学硕士学位。2005年7月至今,在中国科学院新疆理化技术研究所从事敏感材料、功能材料方面的研究工作。作为主要成员参与了国家自然科学基金、国家863、中科院西部之光、新疆维吾尔自治区高技术研究发展计划、乌鲁木齐市科技计划等多个项目的研究工作。主持中科院西部之光项目1项、自治区自然科学基金项目1项、乌鲁木齐市科技局科技攻关计划项目1项。获得国家授权发明专利2件,发表论文10余篇,制订产品企业标准1项。作为主要成员参与的《单晶硅热敏电阻及传感器中试》,2008年获乌鲁木齐市科技进步三等奖。
 
主要研究领域:
1、辐射剂量测试方法
光致荧光辐射敏感材料和辐射剂量的测量方法
2、敏感材料与器件
过渡金属元素掺杂的单晶硅热敏材料的制备、单晶硅电阻的制备工艺

 
代表性文章:
[1]范艳伟,陈朝阳 ,巴维真,丛秀云,刘艳平,杜彦召. CaS:Eu,Sm的制备及发光特性,功能材料,2007,38:223
[2]陈朝阳,范艳伟,刘艳平,王军华,巴维真,郭旗,常爱民,陆妩.碱土金属硫化物光激励材料在辐射剂量测量中的应用,光谱学与光谱分析,2009,29(4):896
[3]SUN Yurun,CHENZhaoyang,FAN Yanwei,YAN Shiyou,HE Chengfa.A CaS:Ce,Sm-based dosimeter for online dosimetry measurement,Progress of Nuclear Science and Technology, 2011,22(2):88-92
[4]Wei Pingqiang, Chen Zhaoyang, Fan Yanwei, Sun Yurun, Zhao Yun.Dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal,Chinese Journal of Semiconductors, 2010,31(10) :102001-1-102001-4
[5] 董茂进,陈朝阳,范艳伟,丛秀云,王军华,陶明德.Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性[J].功能材料,2009,1(40):37
[6] Dong Maojin,Chen Zhaoyang,Fan Yanwei,Wang Junhua,Tao Mingde,Cong Xiuyun. NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material[J] ,Journal of Semiconductors,2009,30(8):083007

研究领域:

 物理学