1、2020年11月，中国科学院新疆理化技术研究所，固体辐射物理研究室，研究员

2、2014年10月，中国科学院新疆理化技术研究所，固体辐射物理研究室，副研究员

3、2008年7月，中国科学院新疆理化技术研究所，材料物理与化学研究室，助理研究员

主要研究领域：

  文林，博士，研究员，博士生导师，2015年毕业于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，主要从事光电器件辐射效应研究。主持重点基础研究子课题、国家自然科学基金、预研基金、中科院创新基金、中科院“西部之光”、新疆自治区杰出青年科技人才等项目。发表论文60余篇，授权中国发明专利9项，软件著作权登记6项

主要荣誉：

  获2016年新疆青年科技人才培养工程-优秀青年科技人才、2016年中科院“西部之光”人才培养计划、2017年新疆自治区天山英才计划、2019年新疆天山青年-杰出青年科技人才、2021年中科院“西部之光”人才培养计划等人才项目支持。获2014年、2015年、2018年获新疆维吾尔自治区科技进步一等奖共3项。

代表性文章：

[1] Wu P , Wen L , Xu Z Q , et al. Synergistic effects of total ionizing dose and radiated electromagnetic interference on analog-to-digital converter[J]. NUCL SCI TECH, 2022, 33(3):9.

[2] Liu B ,  Yudong L I , Wen L , et al. Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors[J]. Chinese Journal of Electronics, 2021, 30(1).

[3] Liu B ,  Li Y ,  Wen L , et al. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors[J]. Results in Physics, 2020, 19:103443.

[4] Liu B , Li Y , Wen L , et al. A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices[J]. Radiation Effects and Defects in Solids, 2020:1-11.

[5] Zhang X , Li Y , Wen L , et al. Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors[J]. Journal of Nuclear ence and Technology, 2020(6):1-7.

[6] Cai Y , Wen L , Li Y , et al. Single Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020, PP(99):1-1.

[7] Cai Y L , Li Y D , Wen L , et al. Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array[J]. Solid State Electronics, 2018.

[8] WEN Lin, LI Yu-dong, GUO Qi, WANG Chao-min. Total ionizing dose effect and damage mechanism on saturation output voltage of charge coupled device. Fourth Seminar on Novel Optoelectronic Detection Technology and Application(NDT17), SPIE, Vol.10697, 2018.2.20, 10697-174.

[9] WEN Lin, LI Yu-dong, ZHOU Dong, FENG Jie, GUO Qi, ZHANG Xing-yao, YU Xin. Degradation of dark signal of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton. Young Scientists Forum 2017, SPIE, Vol.10710, 2018.3.5, 10710-34

[10]Xiang Zhang, Yu-Dong Li, Lin Wen, et al.. Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors[J]. Chinese Physics Letters, 2018.

研究领域： 

1、固体辐射物理

2、微电子学与固体电子学

3、光电器件辐射效应