1. X射线光源

        1.1. X射线发生器部分：最大输出功率：3kW；额定电压：60kV；额定电流：60mA。

        1.2 X射线光管部分：X射线光管：Cu靶，陶瓷X光管，2.2 kW；焦斑大小：0.4 x 12 mm。

2. 测角仪部分

        2theta转动范围：-10°~168°；可读最小步长：0.0001°，角度重现性：0.0001°；全谱范围内所有峰的角度偏差不超过±0.01度。

3. 探测器部分：

        3.1探测器类型：能量色散阵列检测器；最大计数：≥1 x 10⁹ cps；3.3 线性范围：≥4x10⁷ cps；背景：<0.1 cps

        3.2 探测器自身能量分辨率：≤380eV，光路中无需插入滤光片或者单色器即可有效去除Kβ

        3.3 提供的半导体阵列探测必须适合小角和广角测试，小角最小从0.3度开始

        3.4 去荧光能力：在Cu光源下，光路中无需任何单色器即可去除含Fe/Co/Ni/Mn等元素的荧光背底

        3.5 功能：具备零维、一维和二维三种测量模式,扫描方式：零维模式（点探测器），一维模式（阵列探测器），二维模式（面探测器）

        3.6 入射光路为三光路系统，光路一：粉末衍射聚焦光路;光路二：薄膜反射多层膜平行光系统；光路三：高分辨平行光+Ge200单色Ka1系统，光束发散度优于 31”.

        3.7 原位变温附件测试温区：室温-1600℃，程序控温，控温精度±0.1℃（Ta片加热）。