电子元器件辐射效应实验是由研究所下属的固体辐射物理研究室和辐照试验技术中心组成的辐射效应研究的试验专业机构，从上世纪80年代初开始在国内最早开展CMOS电路总剂量效应研究，指导厂家研制出我国首批抗辐射加固CMOS电路， 为我国宇航器件和航天装备抗辐射加固技术发展做出重要贡献。

　　实验室长期致力于综合运用半导体物理、核科学技术和微电子技术等学科的基础理论和方法，研究新型电子信息材料、器件和电路的辐射效应，揭示辐射损伤机理，发展模拟试验与抗辐射性能评估技术，探索抗辐射加固原理，为我国航天器和电子器件的抗辐射加固提供共性技术支撑。

　　实验室建立了由辐照装置、器件测试系统和辐射场测量设备构成的配套完整的总剂量辐射效应试验平台，能够进行大规模电路、模拟器件、混合信号电路和光电器件等新型器件辐射效应的全参数测试和辐射损伤机理分析，试验能力覆盖加固器件研制从平台研发、设计、工艺到产品验收全过程，多年来为航天科技、 航天科工、中电科、中科院和中物院下属几十个院所提供了辐射效应试验评估服务，支撑了“XXX”、“高分辨率对地观测”和“某某导航”等多个宇航器件和航天工程重大专项和任务，是国家有关部门指定的总剂量效应试验评估单位， 已经成为面向全行业的辐射效应试验共用平台。