针对卫星对国产高性能CMOS图像传感器的应用需求，开展了国产CMOS图像传感器不同粒子辐射效应试验研究，获得了某国产高性能CMOS图像传感器的质子和重离子辐射效应规律，掌握了器件图像异常与功能模块损伤的关系，首次试验观测到该类器件的单粒子微闩锁效应，突破了CMOS图像传感器单粒子效应模拟试验技术，为国产CMOS图像传感器抗辐射设计及工程研制提供了试验依据与技术支撑。 

　　相关成果获得2018年度新疆维吾尔自治区科技进步一等奖。