2020年10月-至今：中国科学院新疆理化技术研究所 固体辐射物理研究室 副研究员 硕士生导师 

2012年7月-2020年10月：中国科学院新疆理化技术研究所固体辐射物理研究室 助理研究员 

2005年9月-2012年6月：兰州大学物理科学与技术学院 微电子学与固体电子学 博士 

2001年9月-2005年6月：兰州大学物理科学与技术学院 微电子学 学士 

主要研究领域及成就： 

  目前研究方向为电子器件辐射效应研究，主要基于计算机仿真技术开展器件辐射损伤机制的基础性研究。今年来发表论文20余篇，主持国家及省部级科研项目4项。 

主要荣誉： 

获得2018年新疆维吾尔自治区科技进步一等奖（第8完成人） 

获得2021年新疆维吾尔自治区科技进步一等奖（第5完成人） 

代表性文章：

1. 魏莹,崔江维,崔旭,郑齐文,李小龙,孙静,郭旗,吕小龙.总剂量辐射效应对体硅n-FinFET 1/f噪声特性的影响[J].,航天微电子, 2021, (2)：74-80. 

2. 魏莹,文林,李豫东,郭旗.电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真[J].数值计算与计算机应用,2020,41(02):143-150. 

3. Ying. Wei et al., "Total Ionizing Dose Effects on Time-dependent Dielectric Breakdown in PMOS Capacitance Based on 65nm Process," 2018 International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED), 2018, pp. 1-3. 

4. 魏莹,崔江维,郑齐文,马腾,孙静,文林,余学峰,郭旗.辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真[J].现代应用物理,2017,8(04):47-51. 

5. 王保顺,崔江维,郑齐文,席善学,魏莹,雷琪琪,郭旗. 22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究[J].固体电子学研究与进展,2020,40(05):384-388. 

6. 冯皓楠,杨圣,梁晓雯,张丹,蒲晓娟,孙静,魏莹,崔江维,李豫东,余学峰,郭旗.碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较[J].原子能科学技术,2022,56(04):767-774. 

7. 席善学,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,何承发,郭旗,陆妩.超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(06):1107-1111. 

8. 郑齐文,崔江维,魏莹,余学峰,陆妩,任迪远,郭旗. Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs[J]. Chinese Physics Letters,2018,35(04):82-85. 

代表性专利：

1. 魏莹; 崔江维; 郑齐文; 崔旭; 郭旗; 余学峰; 一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真分析方法, 2021-11-25, 中国, 202111409788.8； 

2. 郑齐文; 崔江维; 李小龙; 魏莹; 余学峰; 李豫东; 郭旗; 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法, 2020-10-20, 中国, CN202011125626.7； 

3. 郑齐文; 崔江维; 李小龙;  魏莹; 余学峰; 李豫东; 郭旗; 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法, 2020-10-20, 中国, CN202011125363.X； 

4. 崔江维; 郑齐文;  魏莹; 孙静; 余学峰; 郭旗; 陆妩; 何承发; 任迪远; 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法, 2017-12-13, 中国, ZL201711329107.0。 

研究领域： 

电子器件辐射效应仿真研究