玛丽娅·黑尼，女，维吾尔族，工学博士，中国科学院新疆理化技术研究所副研究员，中国电子学会、中国核学会会员。从事先进化合物半导体材料与器件辐射效应研究。

教育及工作经历： 

2022.11 至今   中国科学院新疆理化技术研究所 副研究员 

2017.03-2022.10  中国科学院新疆理化技术研究所 助理研究员 

2011.09-2017.01 中国科学院大学（微电子学与固体电子学专业） 工学博士 

2006.09-2010.07  合肥工业大学（电子科学与技术专业） 工学学士 

主要研究领域及成就： 

  面向国家航天、核工业、半导体材料与器件等领域，从事先进化合物半导体材料与器件辐射效应机理研究，针对高效耐辐照多结太阳电池、新型高速光通信器件等国产元器件应用需求，开展参数测试分析、机理分析等方面的关键技术攻关，突破高端光电器件抗辐射加固技术的瓶颈，深化相关基础科学问题研究，获得多项创新性成果。 

  承担国家自然科学基金、基础加Q、快速扶持、西部之光等国家级和中科院级科研项目8项，作为骨干参与HGJ重大专项、预Y项目和自然科学基金重点项目等国家级科研课题二十余项。获自治区科技进步奖1项，在国内外各类期刊杂志中第1/通讯作者发表论文十余篇，授权发明专利两项，参与编写发布国家标准《GB/T 38190-2019航天用太阳电池电子辐照试验方法》1项。 

主要荣誉： 

新疆维吾尔自治区科技进步一等奖（2018） 

中国科学院青年创新促进会会员（2023） 

首批新疆青少年科普教育专家（2022） 

代表性文章： 

[1]Chen, Jiawei & Li, Yudong & Heini, Maliya* & Guo, Qi,et al. Annealing effects of 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers after proton irradiation[J]. Heliyon,2022(8): e10594（通讯） 

[2]Chen J ,  Li Y ,  Maliya H *, et al. Displacement damage effects in proton irradiated vertical-cavity surface-emitting lasers[J]. Japanese journal of applied physics, 2022(1):61（通讯） 

[3]Heini M* ,  Aierken A ,  Li Z H , et al. Changes in output parameters of 1 MeV electron irradiated upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cell[J]. AIP Advances, 2018, 8(10). 

[4]Maliya*, Abuduwayiti Aierken, Yudong Li, Dong Zhou, Xiaofan Zhao, Qi Guo, and Chaoming Liu "Changes of photo-luminescence of electron beam irradiated self-assembled InAs/GaAs quantum dots", Proc. SPIE 10710, Young Scientists Forum 2017, 107100I (5 March 2018) 

[5]陈加伟,李豫东*,玛丽娅·黑尼*等.850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应和仿真[J].核技术,2022,45(11):31-36.110202 (通讯） 

[6]Chen J W ,Li Y D, Heini M *, et al. Investigation of displacement damage to vertical-cavity surface-emitting red lasers due to 1 MeV electron radiation[J]. AIP Advances, 2020, 10(11):115216-.（通讯） 

[7]陈加伟, 李豫东, 玛丽娅*, 李钰, 郭旗. 850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应[J]. 红外与激光工程, 2022, 51(5): 20210326. （通讯） 

[8]玛丽娅*, 李豫东, 郭旗等. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究[J]. 发光学报, 2017,38(2): 182-187 

[9]玛丽娅*, 郭旗, 艾尔肯, 李豫东, 李占行, 文林, 周东. In_0.22Ga_0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究[J]. 光学学报, 2017, 37(2): 0216002 

[10]玛丽娅*, 李豫东, 郭旗, 艾尔肯, 王海娇, 曾骏哲. In_0.53Ga_0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究. 物理学报, 2015, 64(15): 154217. 

代表性专利： 

[1]互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法,授权号:CN 108401151 A,发明专利,申请人:李豫东;文林;冯婕;施炜雷;于新;玛丽娅·黑尼;郭旗 

[2]一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统,授权号:CN 104853117 B,发明专利,申请人：郭旗;王帆;李豫东;汪波;张兴尧;何承发;文林;陆妩;施炜雷;孙静;李小龙;余德昭;武大猷;玛丽娅·黑尼 

[3]一种光致发光测试中避免激发激光谐波影响的方法,申请号：201811242778.8,发明专利,申请人:玛丽娅·黑尼,莫敏·塞来,艾尔肯·阿不都瓦衣提,赵晓凡,慎小宝,许焱,雷琪琪,李豫东,郭旗 

[4]一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法,申请号:201610720572.6 ,发明专利,申请人:郭旗；玛丽娅·黑尼;李豫东;文林;周东;张兴尧;陆妩;余学峰;何承发 

[5]一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法,申请号：202110388186.2,发明专利,申请人:李豫东;陈加伟;玛丽娅·黑尼;郭旗