姓 名: | 孙静 |
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性 别: | 女 |
职 务: | |
职 称: | 研究员(自然科学) |
通讯地址: | 乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
邮政编码: | 830011 |
电子邮件: | sunjing@ms.xjb.ac.cn |
简历:
主要研究领域及成就:
主要从事空间辐射环境探测技术、电子元器件辐射效应及机理研究。主持国家自然科学青年基金、联合基金(NSAF)、面上项目、中科院西部之光B类人才项目、中科院西部学者项目等,并参与973、预研基金、HGJ等多个国家重要科研项目。在国内外期刊及会议上发表论文30余篇,获中国发明专利7项。研制的高性能PMOS辐射剂量计,成功应用于 “风云”、“北斗”、“实践”等系列卫星的环境探测分系统。自主研制的集成化空间辐射剂量计,成功搭载于国内某卫星的元器件考核仪项目,在轨飞行性能状态良好,并获得该卫星轨道的辐射剂量分布数据。
主要荣誉:
1、新疆维吾尔自治区“科技进步一等奖”3项(2014年度(11/12)、2015年度(7/12),2022(8/12))
2、自治区天山英才工程培养人选(2017年)
代表性文章:
1、Sun Jing, Guo Qi,Yu Xin,et al.Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector, Radiation Physics and Chemistry,2017,139:11-16.
2、Jing Sun, Jing Wei Cui, Qi Wen Zheng, Enhanced Low Dose Rate Sensitivity(ELDRS) observed in 400nm Implanted Gate Oxide RADFET Sensor , The RADECS Workshop 2018 and ICREED’18. May 16-18
3、孙静,郭旗,郑齐文, 崔江维,何承发,刘海涛等.基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究,核技术, 2019, 42(12):120510.
4、孙静,陆妩,邓伟,郭旗,余学峰,何承发.辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响.,核技术,2016,39(2): 020203-1-6.
5、马函,孙静,何承发,等. 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究[J]. 原子能科学技术,2021,55(12):2175-2182. DOI: 10.7538/yzk.2021.youxian.0536.
6、马函,孙静,何承发,等.质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究[J].核技术,2022,45(1):37-43. DOI: 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010203.
7 、Lan Bo, Guo QI, Sun Jing, ea al., Dose rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors at various biasing conditions. Journal of Semiconductors [J]. 2010,31(5):
代表性专利:
1、一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法,ZL201611177450.3
2、基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法,ZL201410629535.5
3、一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法,ZL201410210427.4
4、一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统,ZL201410212545.9
研究领域:
空间辐射环境探测技术及装备研究、电子元器件辐射效应与损伤机理研究
研究领域: