宋宇，博士，研究员，博士研究生导师，自治区创新领军人才。2013年毕业于清华大学，获理学博士学位。2013-2020年，在中国工程物理研究院电子工程研究所从事研究工作，担任特种效应方向负责人、重大任务负责人。2024年，作为自治区人才引进中国科学院新疆理化技术研究所。

教育背景：

1) 2008-09 至 2013-07，清华大学，凝聚态物理，博士

2) 2004-09 至 2008-07，兰州大学，物理学，学士

工作经历：

1) 2024-12 至 今，中国科学院新疆理化技术研究所，固体辐射物理研究室，研究员、博导

2) 2023-12 至 2024-12，内江师范学院，物理与电子信息工程学院，教授、校学术委员

3) 2022-09 至 2023-09，北京计算科学研究中心，魏苏淮教授课题组，访问学者

4) 2020-09 至 2023-12，内江师范学院，物理与电子信息工程学院，副研究员

5) 2015-12 至 2020-09，中国工程物理研究院电子工程研究所，副研究员、特种效应方向负责人

6) 2013-07 至 2015-12，中国工程物理研究院电子工程研究所，助理研究

主要研究领域及成就：

     面向航天与核电子学系统辐照损伤评估与加固的国家重大需求，长期从事半导体与介电材料中辐照诱生缺陷动力学的基础前沿理论研究，取得了一系列具有创造性和引领性的研究成果。主持“核科学挑战专题”重点方向、国家自然科学基金青年项目、四川省中央引导地方科技发展专项等科研项目，累积经费大于4000万。以第一或/和通讯作者在JACS、Small、ACS AMI、PR Applied (Letter)等国际知名学术期刊发表SCI论文20余篇，在半导体辐射领域处于国际先进水平。多次受邀在国内外辐射物理会议上作报告，担任Nano Lett.、IEEE TNS等20余本国际学术期刊审稿人。获得多项国际、国内学术荣誉。

主要荣誉：

1) J. Phys. D: Appl. Phys.期刊Emerging Leader，2025年

2) 自治区“天池英才”创新领军人才（全所1名），2024年

3) 英国物理学会（IOP）Outstanding Reviewer Awards，2023年

4) IOP Trusted Reviewer, 2023年

5) 第五届全国辐射物理学术交流会优秀论文，2023年

6) 中国工程物理研究院青年科研新秀（全院8名），2016年

7) 北京市普通高校优秀毕业生，2013年

8) 博士研究生国家奖学金，2012年

9) 本科生中国科学院奖学金（全国60名），2007年

代表性文章：

1)Y Song#, C Qiu#, SH Wei*, Mechanism of Eγ' Defect Generation in Ionizing-irradiated a-SiO2: The Nonradiative Carrier Capture-Structural Relaxation Model, Physical Review Applied 24, L041004 (2025). https://doi.org/10.1103/9y5y-61ps. IF=4.4

简介：该工作发现电离总剂量（TID）效应研究领域底层“标准”模型（空穴输运-捕获机制）与基本实验的矛盾，提出并验证氧化物固定电荷（E'缺陷）形成的“非辐射载流子俘获-结构弛豫”模型。

2)C Qiu, Y Song*, HX Deng*, SH Wei*, Dual-Level Enhanced Nonradiative Carrier Recombination in Wide-Gap Semiconductors: The Case of Oxygen Vacancy in SiO2, Journal of the American Chemical Society 145 (45), 24952 (2023). https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c09808. IF=15.0

简介：该工作提出宽禁带材料中双能级增强的非辐射载流子复合机制，被广泛应用于具有亚稳态缺陷的材料体系。

3)Y Song*, G Zhang, X Cai, B Dou, Z Wang, Y Liu, H Zhou, L Zhong, G Dai, X Zuo, SH Wei*, General Model for Defect Dynamics in Ionizing-Irradiated SiO2-Si Structures, Small 18 (14), 2107516 (2022). https://doi.org/10.1002/smll.202107516. IF=15.1

简介：该工作提出TID效应的两个新概念（E’缺陷的减速产生与Pb缺陷的部分转化），建立适用于极宽剂量率的普适物理模型框架。

4)Y Song*, H Zhou, XF Cai, Y Liu, P Yang, GH Zhang, Y Zhang, M Lan, Su‐Huai Wei*, Defect Dynamic Model of the Synergistic Effect in Neutron- and γ-Ray Irradiated Silicon NPN Transistors, ACS Applied Materials & Interfaces 12 (26), 29993-29998 (2020). https://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c07436. IF=9.2

简介：该工作发现位移-电离协同效应传统“静电库伦相互作用模型”与基本实验的矛盾，提出并验证全新的电离诱导位移缺陷演化模型，被IEEE TNS综述称为“Song’s defect dynamics model”。

5)Y Song*, Y Zhang, Y Liu, J Zhao, D Meng, H Zhou, X Wang, M Lan, SH Wei*, Mechanism of Synergistic Effects of Neutron- and Gamma-Ray-Radiated PNP Bipolar Transistors, ACS Applied Electronic Materials 1 (4), 538-547 (2019). https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.9b00005.

简介：该工作发现PNP晶体管位移-电离协同效应对位移注量、电离总剂量及剂量率的反常实验规律，为该方向的后续系统研究提供了实验基础。

6)Y Song*, SH Wei*, Origin of Irradiation Synergistic Effects in Silicon Bipolar Transistors, ACS Applied Electronic Materials 2 (12), 3783-3793 (2020). https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.0c00854. IF=3.3

简介：该工作给出PNP、NPN晶体管相反协同效应的统一理论框架，直接推动激发态第一性原理计算 [ZH Yang et al., J. Chem. Phys. 159, 034710 (2023)] 的发展。

7)G Zhang, ZH Yang, H Zhou, Y Liu, J Yang, SH Wei*, Y Song*, Observation and Origin of Anomalous Early Recovery of Base Currents in Low-Dose-Rate γRay-Irradiated PNP Transistors, ACS Applied Electronic Materials 5 (11), 5968-5976 (2023). https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.3c00947. IF=4.7

简介：该工作发现PNP晶体管中低剂量率电离辐照诱导的反常修复现象，阐明电离辐照对位移缺陷激活能的调控作用。

8)Y Song*, C Qiu, H Zhou, Y Liu*, X Chen, SH Wei*, Mechanisms and models of interface trap annealing in positively-biased MOS devices, Journal of Physics D: Applied Physics 58 (2), 025109 (2024). https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ad8502. IF=3.2

简介：该工作提出界面缺陷退火的H阴离子钝化机制，发展动力学解析模型。

9)Y Song*, HC Wu, Y Guo. Negative differential resistances in graphene double barrier resonant tunneling diodes. Applied Physics Letters 102 (09), 093118 (2013). http://dx.doi.org/10.1063/1.4794952.

简介：该工作研究石墨烯共振遂穿二极管的负微分电阻效应，发现背栅对负阻窗口的调控作用，被国际专利引用。

10)Y Song*, HC Wu, Y Guo*, Giant Goos-Hanchen shift in graphene double-barrier structures. Applied Physics Letters 100, 253116 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4730440.

简介：该工作指出通过横向位移实现电子束自旋或谷分离的必要条件，提出共振隧穿增强的实现方案，被后续工作广泛采用。

代表性专利：

1) 董鹏，宋宇，李沫，侯世尧，代刚，张健；SiO2中电荷与SiO2/Si界面态的分离测试方法，授权号：ZL 2017 1 0031104.2

2) 杨萍，董鹏，宋宇，张光辉，李沫，代刚，张健；一种提高多层结构二次离子质谱深度分辨率的系统和方法，授权号：ZL 2017 1 0120217.X

3) 张光辉，董鹏，宋宇，杨萍，李沫，代刚，张健；一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法，授权号：ZL 2017 1 0796063.6

研究领域：

半导体辐射物理、缺陷动力学建模、第一性原理计算