陆妩，女，汉族，九三社员，理学硕士，中国科学院新疆理化技术研究所研究员，博士生导师，新疆大学兼职教授；中国电子学会会士；中国电子学会可靠性分会委员；新疆核学会理事；2011年，芬兰Aalto大学微纳电子科学与技术学院高级访问学者； 

主要研究领域以及成就： 

长期从事微电子器件和电路的辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究，先后主持并承担该领域国家863、国家重点自然科学基金等研究课题30余项；在国内外核心期刊发表学术论文230余篇，获批国家标准3项；曾获得新疆维吾尔自治区技术发明一等奖1项，中科院、新疆自治区科技进步一等奖4项、二等奖1项、三等奖2项，中国辐射物理领域十大科技创新进展奖1项。 

主要荣誉： 

  曾荣获中国电子学会会士（2020年）、中国电子学会“优秀科技工作者”（2018年）、中国科学院“朱李月华优秀教师” (2012年）、九三学社“全国优秀社员”(2012年）、新疆自治区“优秀博硕士论文指导教师”（2010、2011、2013年）、新疆自治区“巾帼建功标兵”(2009年）等荣誉。 

代表性文章： 

1.Ruiqin Zhang, Qiwen Zheng, Wu Lu*,  et.al,“1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation”，Radiation Effects and Defects in Solids，2022，176,(12)：1-14 

2.YU Xin, LU Wu*, LI Xiaolong,  et.al, Total Ionizing Dose Effect and Failure Mechanism of Digital Signal Processor，Chinese Journal of Electronics ，2021，30（5）：986-990. 

3.Si-Yuan Chen，Xin Yu，Wu Lu*，et.al，Effects of Total-Ionizing-Dose Irradiation on Single-Event Burnout for Commercial Enhancement-Mode AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors，CHIN.PHYS.LETT. 2020，37（4）：046101 

4.Shanxue Xi，Qiwen Zheng, Wu Lu*, et.al,  Modeling of TID-induced leakage current in ultra-deep submicron SOI NMOSFETs, Microelectronics Journal, doi.org/10.1016/j.mejo.2020.104829. 

5.Mohan Liu , Wu Lu*, Xin Yu , et.al， Mechanism of Degradation Rate on the Irradiated Double-Polysilicon Self-Aligned Bipolar Transistor， Electronics, 2019, 8(6): 657-1-8 

6.Xiaolong Li, Wu Lu*, Qi Guo, et.al，Temperature-Switching During Irradiation as a Test for ELDRS in Linear Bipolar Devices， IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019,66(1):  199-206. 

7.Shuai Yao, Wu Lu*, Xin Yu, et.al， Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139， Journal of Nuclear Science and Technology, 2019, 56(2): 172-178. 

8.Shuai Yao, Wu Lu*, Xin Yu, et.al，Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139, Journal of Nuclear Science and Technology, 2019, 56(2): 172-178. 

9.Qiwen Zheng , Jiangwei Cui, Wu Lu, et.al，Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019，66（6）: 892-898 

10.Xiao-Long Li, Wu Lu^*, Xin Wang, et.al，Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanism using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor，Chinese Physics B,2018,Vol.27（3）: 036102-1-9， 

研究领域： 

物理学类其他专业