| 姓 名： | 郭旗 |
|---|---|
| 性 别： | 男 |
| 职 务： | |
| 职 称： | 研究员(自然科学) |
| 通讯地址： | 乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
| 邮政编码： | 830011 |
| 电子邮件： | guoqi@ms.xjb.ac.cn |
简历：
郭旗，中国科学院“特聘核心骨干”，二级研究员，博士生导师，中国科学院大学教授，中国电子学会会士，享受国务院政府特殊津贴，现任中科院新疆理化所固体辐射物理研究室主任。
主要从事电子元器件电离辐射效应、损伤机理、试验评估方法等研究。主持国家级等课题20余项，发表论文200余篇，申请及授权国家发明专利30余项。获新疆维吾尔自治区科技突出贡献奖1项，科技进步一等奖4项，二等奖1项，三等奖2项。获新疆维吾尔自治区“先进工作者”、最美科技工作者，中国电子学会“优秀科技工作者”，中国科学院“朱李月华”优秀教师等荣誉称号。
1.新疆维吾尔自治区“先进工作者”
2.新疆维吾尔自治区“最美科技工作者”
3.中国电子学会“优秀科技工作者”
4.中国科学院“朱李月华”优秀教师
代表性文章：[1]Li, YD; Liu, BK; Wen, L; Wei, Y; Zhou, D; Feng, J; Guo, Q.Role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal[J].Radiation Physics and Chemistry, 2021.
[2]Cai Yu Long、Wen Lin、Li Yudong、Guo Qi*、Feng jie、Zhou Dong、Zhang Xiang、Liu Bingkai、Fu Jing. Single-Event effects in pinned photodiode CMOS image sensors: SET and SEL [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020.
[3]Bingkai Liu、Yudong Li*、Lin Wen、Dong Zhou、Jie Feng、Xiang Zhang、Yulong Cai、Jing Fu、Jiawei Chen、Qi Guo. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors[J]. Results in Physics, 2020, 19:103443.
[4]Qiwen Zheng,Jiangwei Cui, Liewei Xu, Bingxu Ning, Kai Zhao, Mingjie Shen,Xuefeng Yu, Wu Lu, Chengfa He, Diyuan Ren, and Qi Guo. Total ionizing dose responses of forward body bias ultra-thin body and buried oxide FD-SOI transistors[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science,2019.
[5]Zhang Xiang,Li Yudong, Wen Lin,Zhou Dong,Feng Jie,Ma Lin-Dong,Wang Tian-Hui, Cai Yulong,Wang Zhiming,Guo Qi*. Radiation effects due to 3 MeV proton irradiations on back-side illuminated CMOS image sensors [J].Chinese Physics Letters, 2018.
研究领域：
1、固体辐射物理
2、微电子与光电子器件辐射效应
3、空间辐射剂量在轨测量
