8月1日，应新疆理化所固体辐射物理研究室邀请，西安电子科技大学副校长张进成教授访问新疆理化所并开展学术交流。固体辐射物理研究室科研人员及研究生参加了此次交流活动。

张进成教授做了题为《宽禁带半导体射频与功率器件技术新发展》的学术报告，介绍了以氮化镓为代表的宽禁带半导体射频功率器件和电力电子器件进展及发展趋势。当前已应用的射频和功率器件技术远未发挥出宽禁带半导体的最大性能潜力，近年来各种新方法、新结构、新工艺不断得到提出与发展，推动宽禁带半导体射频和功率器件技术持续提升，为延续宽禁带半导体“摩尔定律”提供了更多的新途径。报告内容丰富、深入浅出，参会师生进行了热烈的讨论。会后张进成教授参观了固体辐射物理研究室。

张进成，西安电子科技大学副校长，教授，国家自然基金杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。长期从事宽禁带与超宽禁带半导体电子器件研究，发表论文400余篇，SCI他引6000余次，授权发明专利100余项，出版专著3部，获国家技术发明二等奖2项和何梁何利基金科学与技术创新奖。

报告会现场

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